Switching Power Mosfet Transistor IXFH60N50P3 Fast Intrinsic Rectifier

Switching Power Mosfet Transistor IXFH60N50P3 Fast Intrinsic Rectifier

Polar3^TM HiperFET^TM                              IXFT60N50P3  V_DSS = 500V

Power MOSFET                                       IXFQ60N50P3   I _D25 = 60A

                                                                                                IXFH60N50P3   R_DS(on) ≤ 100mΩ

N-Channel Enhancement Mode 

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

Features                                           

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

 Low RDS(ON) and QG

 Low Package Inductance

Advantages

 High Power Density

 Easy to Mount

 Space Savings

Applications

 Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

 DC-DC Converters z Laser Drivers

 AC and DC Motor Drives

 Robotics and Servo Controls

Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25ºC    Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25ºC

Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 125ºC        Fig. 4. RDS(on) Normalized to ID = 30A Value vs.                                                                                                                  Junction    Temperature

Fig. 5. RDS(on) Normalized to ID = 30A Value vs.      6. Maximum Drain Current vs. Case                                   Drain CurrentFig.                                                            Temperature

          Fig. 7. Input Admittance                                                        Fig. 8. Transconductance